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韩媒 ZDNET Korea 于当地时间 10 月 21 日报道称，NVIDIA 计划在下一代 Groq LPU AI 推理加速器芯片中，采用基于 TSV（硅通孔）工艺的 3D 堆叠 DRAM 方案。
当前版本的 Groq LPU 依赖大容量 SRAM 缓存设计，以实现快速解码输出。然而，SRAM 存在容量较小、在制程升级中密度收益有限等短板，制约了其在大型模型表现和芯片迭代方面的潜力。
据 IT之家了解，同样采用大 SRAM 技术路线的 Cerebras 此前已表示，未来 CS-6 将引入 3D 垂直集成 DRAM。
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